10M04DCF256IG10M04DCF256I7G是一种单芯片，非挥发性，低成本可编程逻辑设备（PLD），用于整合最佳的系统组件集。
10M04DCF256I7G是系统管理，I/O扩展，通信控制平面，工业，汽车和消费者应用的理想解决方案。
产品功能
55纳米TSMC嵌入式闪存（Flash+SRAM）过程技术
4个输入查找表（LUT）和单寄存器逻辑元素（LE）
一个18x18或两个9x9乘数模式
12位连续近似寄存器（SAR）类型
最多17个模拟输入
累积的速度高达每秒100万个样本（MSP）
集成温度传感函数
支持多个I/O标准
在芯片终端（OCT）上
每秒可达830 Mbps LVD接收器和800 Mbps LVD
支持最多600 Mbps的外部内存接口
闪存数据可以在85°C下存储20年
英特尔最大10个设备的亮点包括：
双配置闪存用于内部存储
用户闪存
支持即时发布
综合类似物到数字转换器（ADC）
支持单芯片NIOS II软核处理器
